1納米將成為硅基半導體工藝的終點？

是說芯語 2022-12-01 08:00

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1納米芯片代表什么?這可不是一個簡單數字，其背后可能代表著硅基半導體的終結。

不過，盡管芯片縮微化技術挑戰越來越大，但先進芯片工藝的探索卻從未停止，即使1納米這樣已接近物理極限的芯片工藝，也被產業界、學術界不時曝出一些新進展。近日，財聯社、臺灣經濟日報就曝出，臺積電計劃在桃園龍潭建設1納米芯片工廠。

據悉，三星曾宣布2027年量產1.4nm工藝，臺積電也預計也是在2027年左右。不過，此次臺積電再次挑戰1納米，可以說是摩爾定律物理極限的工藝節點。如果臺積電決定新建1納米芯片工廠，那么也代表其已經開始為1nm做規劃，且可能有相關技術突破。

ASML稱能保障1nm工藝實現

大家都知道，高端芯片的生產離不開先進的光刻機。而1nm芯片要實現真正量產不僅還需要很長時間，而且還將依賴關鍵設備，即下一代EUV光刻機。

據悉，下一代EUV光刻機必須要升級下一代的高NA(數值孔徑)標準，從現在的0.33 NA提升到0.55 NA，更高的NA意味著更分辨率更高，是3nm之后的工藝必備的條件。

不過，對于下一代EUV光刻機的供應，全球光刻機巨頭ASML持樂觀態度。按照ASML的計劃，下一代EUV光刻機的試驗型號最快2023年就開始出貨，2025年后達到正式量產能力，不過價格也不菲，售價將達到4億美元以上。

今年5月，ASML也曾發表文章稱，現有技術可以實現 1nm 工藝，摩爾定律可繼續生效十年甚至更長時間。

根據摩爾定律，每隔 18-24個月，封裝在微芯片上的晶體管數量便會增加一倍，芯片的性能也會隨之翻一番。不過，增加芯片面積、縮小元件尺寸以及優化器件電路設計是實現晶體管數量翻倍的三個重要因素。

對此，ASML表示，在過去的15年里，很多創新方法使摩爾定律依然生效且狀況良好。從整個行業的發展路線來看，它們將在未來十年甚至更長時間內讓摩爾定律繼續保持這種勢頭。

同時，ASML也指出，在元件方面，目前的技術創新足夠將芯片的制程推進至至少1納米節點，其中包括gate-all-around FETs，nanosheet FETs，forksheet FETs，以及 complementary FETs等諸多前瞻技術。此外，光刻系統分辨率的改進(預計每 6 年左右縮小 2 倍)和邊緣放置誤差(EPE)對精度的衡量也將進一步推動芯片尺寸縮小的實現。

ASML還表示，其EPE路線圖是全方位光刻技術的關鍵，將通過不斷改建光刻系統和發展應用產品(包括量測和檢測系統)來實現。

從ASML的表態來看，芯片縮微化仍然有技術發展空間，至少在光刻機設備上將有很好保障，加上通過不斷挖掘新工藝、新技術，探索新方向，1納米芯片工藝未必不可能。

挑戰1納米半導體材料——半金屬鉍

當然，除了關鍵設備光刻機之外，要想實現1納米芯片還遠遠不夠，還需從材料上尋求更大的突破。

這里也特別提一下2021年一項學術界的研究成果：半金屬鉍(Bi)。針對硅材料達到物理極限的科學界難題，麻省理工學院(MIT)的孔靜教授領導的一支國際聯合攻關團隊成功攻克了半導體領域的二維材料的連接難題，研發出半導體新材料——半金屬鉍(Bi)。這項成果直接將使晶圓的先進制程從納米級微觀進入到原子級。

一直以來，盡管科學界對二維材料寄予厚望，卻苦于無法解決二維材料高電阻、低電流等問題，但使用原子級薄材料鉍(Bi)代替硅，有效地將這些2D材料連接到其他芯片元件，開啟了一個新的研究方向。

據悉，這項研究是MIT、臺大、臺積電共同合力的成果。自2019年，這三個機構便展開了長達1年半的跨國合作。這個重大突破先由孔靜教授領導的MIT團隊發現在二維材料上搭配半金屬鉍(Bi)的電極，能大幅降低電阻并提高傳輸電流。臺積電技術研究部門則將鉍(Bi)沉積制程進行優化。最后，臺大團隊運用氦離子束微影系統將元件通道成功縮小至納米尺寸，終于獲得突破性的研究成果。

由此可見，未來，原子級薄材料將是硅基晶體管的一種有前途的替代品。

目前，1nm工藝節點仍處于探索階段，而全球的產學研各界都在進行著相關工藝和材料的研究。比如，IBM和三星就曾公布一種在芯片上垂直堆疊晶體管的新設計，被稱為垂直傳輸場效應晶體管，也是可能突破1nm制程工藝瓶頸的技術路線。

因此，盡管半金屬鉍(Bi)是其中一個技術選項，但也不能保證臺積電未來量產時確定使用半金屬鉍，不過這也證明臺積電也很早就在1納米芯片工藝上進行了技術布局，而半金屬鉍(Bi)對芯片工藝縮微化具有十分重要的意義。

1納米以下該怎么辦?

如果芯片工藝進入1納米以下，量子隧穿效應大增，將形成“電子失控”，使芯片失效。這種情況下，我們該如何實現?

比利時微電子研究中心(IMEC)就曾表示，搭配全新技術，“摩爾定律要前進多少個世代都不是問題。”該機構還表示，1nm制程2027年就可實現商業化，之后的0.7nm預計將在2029年后實現量產。這一預測似乎還比臺積電、三星的預測更為樂觀。

據悉，IMEC已經與ASML在下一代EUV設備研發工作展開深度合作，日本半導體設備廠商東京電子也參與其中。此外，IMEC還開發了一種新方法，可以在采用1nm制程工藝技術構建的芯片中使用金屬互連來減輕焦耳熱效應。

對于1納米以下工藝，在2019年的Hotchips會議上，臺積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森(Philip Wong)曾在演講中就談到過半導體工藝極限的問題，且認為到了2050年，晶體管來到氫原子尺度，即0.1nm。關于未來的技術路線，黃漢森認為像碳納米管(1.2nm尺度)、二維層狀材料等可以將晶體管變得更快、更迷你;同時，相變內存(PRAM)、旋轉力矩轉移隨機存取內存(STT-RAM)等會直接和處理器封裝在一起，縮小體積，加快數據傳遞速度;此外還有3D堆疊封裝技術。

這里還特別提一下湖南大學團隊在2021年取得的一個創新研究成果。該團隊實現了超短溝道的垂直場效應晶體管(VFET)，溝道長度可以縮短到0.65nm，意味著芯片工藝，可以進入到1nm級別，其研究的論文還登上了《Nature Electronics》。

當然，無論是1納米，還是1納米以下芯片工藝，都還停留在技術驗證階段，甚至還處在實驗室階段，離真正商業化量產還有很長的距離，但毫無疑問這些前瞻性的研究都在為1納米及以下工藝帶來了更多的希望和可能。也許，很多人對1納米及以下芯片持懷疑態度，甚至稱“戰略性吹牛”，但毫無疑問，從技術性原理到實際量產生產還有足夠的時間去驗證和實踐。

作者：張河勛

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